SSD: M.2
Фильтры
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 700000/680000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6400 MBps, случайный доступ: 1014000/1079000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2400/2000 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/2800 МБайт/с, случайный доступ: 500000/600000 IOps, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3476/3137 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер TenaFe TC2200
2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 580/550 МБайт/с
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1800/1800 MBps, случайный доступ: 220000/220000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/800000 IOps, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 700000/680000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6000 МБайт/с, случайный доступ: 900000/1000000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6000 МБайт/с, случайный доступ: 900000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/6200 МБайт/с, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 600000/600000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3500/3100 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5
240 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4500/400 МБайт/с, случайный доступ: 260000/18000 IOps, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/1900 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4
256 ГБ, M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 59000/73000 IOps
1.92 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1800 MBps, случайный доступ: 280000/250000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7200/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6700 МБайт/с, случайный доступ: 900000/700000 IOps, SLC-кэш