Оперативная память
Фильтры
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
Цвет: черный, Набор: 1 модуль, Тип: DDR3 DIMM, Частота: 1600 МГц, PC-индекс: PC4-12800, Напряжение питания: 1.2
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-39, напряжение 1.2 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
![Оперативная память Patriot Signature Line 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [PSD44G240081S]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_1144304_big_1_175.jpg)
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
Количество ранков: 2, Тип: DDR4 SO-DIMM, Частота: 2666 МГц, PC-индекс: PC4-21300, CAS Latency: 19, Объем: 8
![Оперативная память AMD 2GB DDR2 PC2-6400 [R322G805U2S-UGO]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_883671_big_1_175.jpg)
частота 800 МГц, CL 5T, тайминги 5-5-5-18, напряжение 1.8 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6-18, напряжение 1.8 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-17-17-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В
1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Количество ранков: 2, Набор: 1 модуль, Тип: DDR4 DIMM, Частота: 3200 МГц, PC-индекс: PC4-25600, CAS Latency: 22
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В