Оперативная память
Фильтры
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5200 МГц, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
Охлаждение: Да, Цвет: серый, Профили XMP: Да, Подсветка элементов платы: Да, Набор: 1 модуль, Объем: 8
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
![Оперативная память Patriot Signature 4GB DDR3 PC3-12800 [PSD34G160081H]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_1007349_big_1_175.jpg)
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
Объем: 2, Тип: DDR4 SO-DIMM, Частота: 2400 МГц, PC-индекс: PC4-19200, CAS Latency: 17, Напряжение питания: 1.2
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В