Оперативная память
Фильтры
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
Цвет: черный, Количество ранков: 2, Расположение чипов: двустороннее, Тип микросхем: 16, Набор: 1 модуль, Тип: DDR4 DIMM
Охлаждение: Да, Цвет: черный, Профили XMP: Да, Подсветка элементов платы: Да, Объем: 8, Набор: 1 модуль
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
Набор: 1 модуль, Тип: DDR5 DIMM, Частота: 4800 МГц, PC-индекс: PC5-38400, CAS Latency: 40, Напряжение питания: 1.1
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-17-17-36, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В