Оперативная память: G Skill
Фильтры
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В
двухканальный (2 модуля), частота 2666 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
![Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-25600 [F4-3200C16D-16GVKB]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_818320_big_1_175.jpg)
двухканальный (2 модуля), частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 34T, тайминги 34-34-34-76, напряжение 1.1 В
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5200 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-83, напряжение 1.1 В
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
Набор: 1 модуль, Тип: DDR4 SO-DIMM, Частота: 3200 МГц, PC-индекс: PC4-25600, CAS Latency: 22, Напряжение питания: 1.2
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В