Оперативная память: для ноутбуков
Фильтры
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
![Оперативная память Patriot Signature Line 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [PSD34G160081S]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_1057846_big_1_175.jpg)
одноканальный (1 модуль), частота 1600 МГц, CL 19T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
![Оперативная память Patriot Signature Line 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [PSD34G16002S]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_981490_big_1_175.jpg)
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
![Оперативная память Apacer 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [AS04GFA60CATBGJ]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_925909_big_1_175.jpg)
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
Набор: 1 модуль, Тип: DDR3 SO-DIMM, Частота: 1600 МГц, PC-индекс: PC3-12800, CAS Latency: 11, Объем: 8 ГБ
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-38, напряжение 1.2 В