Оперативная память: DDR4
Фильтры
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Количество ранков: 1, Расположение чипов: одностороннее, Число микросхем: 8, Набор: 1 модуль, Тип: DDR4 DIMM, Частота: 2666 МГц
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Цвет: зеленый, Набор: 1 модуль, Тип: DDR4 DIMM, Частота: 2666 МГц, PC-индекс: PC4-21300, CAS Latency: 19
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
![Оперативная память AMD Radeon R7 Performance 4GB DDR4 PC4-17000 [R744G2133U1S-UO]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_1057252_big_1_175.jpg)
одноканальный (1 модуль), частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В
![Оперативная память Patriot Signature Line 4GB DDR4 PC4-17000 [PSD44G213381]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_841935_big_1_175.jpg)
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-38, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
![Оперативная память AMD 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [R744G2400S1S-UO]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_1057857_big_1_175.jpg)
одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В