Оперативная память: DDR3
Фильтры
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-30, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-27, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (при разгоне 1.5 В)
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, напряжение 1.35 В
двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В