Оперативная память: DDR3
Фильтры
Набор: 1 модуль, Тип: DDR3 DIMM, Частота: 1600 МГц, PC-индекс: PC3-12800, CAS Latency: 11, Напряжение питания: 1.5
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
Низкопрофильный модуль: Да, Набор: 1 модуль, Тип: DDR3L DIMM, Частота: 1600 МГц, PC-индекс: PC3-12800, CAS Latency: 11
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
Объем: 2, Набор: 1 модуль, Тип: DDR3 DIMM, Частота: 1333 МГц, PC-индекс: PC3-10600, Напряжение питания: 1.5
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
Набор: 1 модуль, Тип: DDR3 SO-DIMM, Частота: 1600 МГц, PC-индекс: PC3-12800, CAS Latency: 11, Объем: 8
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В