Оперативная память: 16 ГБ
Фильтры
1 модуль, частота 4000 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20-44, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В
2 модуля, частота 3733 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21-41, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 4000 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.4 В
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-40, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В